柔性 Ⅲ-Ⅴ 族太阳电池可以继承 Ⅲ-Ⅴ 族太阳电池超高的转换效率和卓越的空间抗辐射能力，空间和地面上应用空间更为广泛，在太......

提供了一种实现片上太赫兹天线集成器件光电导开关材料低温GaAs(LT-GaAs)外延层的转移工艺,使用HNO3-NH4OH-H2O-C3H8O7·H2O溶液-H......

随着化合物半导体技术日益成熟，利用晶体管级异构集成技术在同一芯片内实现SiCMOS与化合物半导体的集成以获得最佳的电路／系统性能，既......

南京电子器件研究所采用外延层转移技术在国内率先开展了晶体管级异构集成方嘶的研究，并于2013年突破了超薄外延层的剥离技术、异质......

提供了一种实现片上太赫兹天线集成器件光电导开关材料低温GaAs（LT-GaAs）外延层的转移工艺,使用HNO_3-NH_4OH-H_2O-C_3H_8O_7·H......

SOG材料与传统SOI材料一样,拥有许多优良的电学性能,例如SOG电路具有高开关速度、高密度、低压和低功耗等优点.同时由于SOG材料具......

SOI材料被誉为"二十一世纪硅集成电路技术"的基础. 它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等, 在超大规模集成电路......

绝缘衬底上的硅（SOI）技术被誉为”21世纪的微电子技术”。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等。该文对注氧隔离......