CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理......

采用熔融法制备了P型填充式方钴矿化合物YbyFexCo4-xSb12,并研究了Co位Fe掺杂对该化合物热电传输特性的影响。在300～850K的温度范围......

以Co、Sb、Fe及La为起始原料,采用放电等离子烧结(SPS)技术原位反应合成了填充式方钴矿化合物LayFeCo3.0Sb12(y＝0～0.4).实验结果表明......

在低温熔融盐体系中，采用电沉积方法室温条件下制备Sm和Pr填充方钴矿化合物．研究不同稀土填充的方钴矿CoSb3热电材料的最佳制备工艺......

在室温条件下于非水体系中用电沉积的方法制备Sm填充方钴矿化合物。研究制备稀土填充的方钴矿CoSb3热电材料的最佳工艺条件。在最......

采用高温熔融法结合固相反应法合成了一系列单相的SmyFexCo4-x-Sb12化合物，并探索了Sm填充分数对其热电性能的影响规律。结果表明，随......