场效应半导体相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

场效应半导体相关论文

基于AlGaN/GaN异质结的新型电力电子器件研究

随着新一代电力电子系统对电力电子器件提出了越来越高的要求，基于GaN材料的新型电力电子器件逐渐成为当前世界上的研究热点。本文......

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场效应半导体电力电子器件异质结构

Al2O3栅介质层AlGaN/GaN MOS-HFET器件制备及电学特性研究

本文采用原子层沉积技术(ALD),在AlGaN/GaN异质结构上制备了10nm Al2O3栅介质层AlGaN/GaN MOS-HFET器件。该器件阈值电压为-12V、......

会议

场效应半导体栅介质层异质结构器件制备电学特性

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