采用提拉法生长出了Yb∶YxLu1-xVO4混合晶体，利用化学腐蚀法和同步辐射X射线形貌术，分析了晶体中的缺陷，发现位错和小角度晶界是......

研究ＫＴｉＯＡｓＯ_４晶体的生长缺陷，对于改善它的性能和应用前景，有很大的意义．本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射Ｘ射线形貌术研究了ＫＴｉＯＡｓＯ_４晶体的缺陷......

...

研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷，对于改善它的性能和应用前景，有很大的意义。本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了K......

采用提拉法生长出了Yb:YxLu1-xVO4混合晶体,XRD测试发现该晶体具有四方Zr Si O4结构,经计算晶胞常数为a=b=0.7126(2)nm,c=0.6259(7......

γ-LiAlO2晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2晶体的缺陷.结果表......

利用透射偏光显微术、同步辐射X射线形貌术、高分辨X射线衍射方法对 6H SiC(0 0 0 1)晶片中的微管和小角度晶界等缺陷进行了研究。......

磷酸二氢铵(NH4H2PO4,简称ADP)晶体是磷酸二氢钾(KH2PO4,简称KDP)类晶体的一种,具有优良的铁电、压电和电光性能,易于长成大尺寸高......