基于4英寸（1英寸=2.54 cm）亚微米T型栅GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺，采用AlGaN/GaN异质结构外延衬底，研制了一款W波段功率放大器单片......

基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺设计并制备了一款2～18 GHz的超宽带低噪声放大器（LNA）单片微波集成电路（MMIC）。该款放......

基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款6～27 GHz宽带功率放大器单片微波集成电路（MMIC）。采用预匹配电路降低带内......

进入21世纪后，宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速，SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流，且正在向更高频率和更高功率密度的新......

介绍了一种小型化高密度射频前端T/R组件的原理和设计方法,基于单片微波集成电路（MMIC）芯片和多芯片组件（MCM）微组装工艺,采用高散热金......

介绍了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺的2～18 GHz超宽带功率放大器单片微波集成电路（MMIC）。采用两级非均匀分布式拓......

为适应数据传输速率的爆炸性增长以及大规模多输入多输出（mM IMO）技术的应用,业界开发了高效率功率放大器（PA）和相关线性化技术。本文......