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二维BN相关论文
二维BN材料中n型掺杂探索:基于第一性原理的带电缺陷计算
半导体材料的有效掺杂可为半导体器件的成功应用提供保障。理论上,通过计算缺陷形成能和电荷转移能级可以预测掺杂的难易性以及缺......
期刊
二维BN
N型掺杂
第一性原理
带电缺陷计算
电荷转移能级
2D h-BNn-type dopingfirst principlecalculation of
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