二次电子倍增相关论文
随着科学技术的不断发展,许多领域对高功率微波器件的需求不断增大,与此同时,对其性能要求也在不断提高。高功率微波技术的发展也......
在卫星通信系统中,介质加载微波部件的微放电现象严重影响大功率载荷的工作稳定性。空间微波部件多为单面或双面介质加载结构,单、......
为研究空间环境中通用航天器表面覆盖的热控层电磁辐照效应,采用粒子模拟(PIC)和蒙特卡罗(MC)模拟相结合方法,建立了真空环境下电......
二次电子发射(Secondary Electrons Yield,简写为SEY)是电子撞击固体表面时的一种物理现象,其相关的基础理论研究已经很成熟.二次......
高功率输能窗的射频击穿是对微波源乃至整个真空系统的稳定工作影响最大的因素,输能窗的射频击穿往往由窗片表面二次电子倍增效应......
本文简述了析象管的基本结构和用途。详细叙述了我们研制的XGX—1型析象管的光电特性和偏转特性,并介绍了一种二维静电偏转盒的实......
中国散裂中子源二期(China Spallation Neutron Source,CSNS-II)升级,直线加速器能量增益将由现在的80 MeV提高到300 MeV,打靶束流......
为中国散裂中子源二期工程(Chinese Spallation Neutron Source-II,CSNS-II)设计了一种低β超导椭球腔,利用2D程序SUPERFISH对该腔......
随着加速器技术的不断发展,包括材料结构探测,高能物理、核物理研究,材料辐照损伤研究,以及洁净核能源等在内的多方面应用,对加速......
经过多年的发展,射频超导(SRF)技术所具有的高束流品质和高重复频率的独特优势已充分被人们认知和接受。与之相应的,世界上大部分在......
抑制射频真空系统表面二次电子倍增的一种常用方法是在系统内表面镀TiN薄膜,因为TiN薄膜具有较低的二次电子发射率。但对于真空应......
本论文主要围绕脉冲功率技术中二次电子倍增的增强及抑制问题,开展了理论与数值模拟研究。增强与抑制互为问题的正反面,但二者均涉......
上海光源直线加速器采用一个次谐波聚束腔组成预注入器,其性能的稳定性和可靠性直接关系到电子束流的品质。二次电子倍增效应是其不......
建立了射频平板腔动态建场等效电路以及腔体双边二次电子倍增的混合物理模型,利用自主编制的1D3V-PIC二次电子倍增程序和射频平板......
在介质加载加速器结构(DLA)内,提出采用刻槽结构结合外加磁场的方法用于在电磁场横磁(TM)模式下抑制介质表面的电子倍增。通过理论分析......
为研究高功率微波及材料特性参数对介质沿面闪络击穿过程的影响,采用自编的1D3VPIC—MCC程序,通过粒子模拟手段,得到了电子与离子数目......
以天光Ⅱ-A装置X-pinch负载腔为例,采用包含场致发射、二次电子倍增模型的三维模拟软件OPAL,对复杂结构中真空绝缘体沿面闪络的产......
介绍了低气压环境中二次电子倍增放电的产生机理和特性。提出了对射频传输器件二次电子倍增放电的产生原因和通用检测方法,并通过工......
与瑞士保罗希尔研究所合作,在双方合作开发的通用加速器模拟程序库OPAL中添加了3维复杂几何处理模块及场致发射与二次电子发射模块......
采用CST软件的粒子工作室模块,对spoke超导腔中可能发生的二次电子倍增效应进行了分析研究,并采用二次电子倍增效应发生后形成稳定状......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”$ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
为深入研究高功率微波(HPM)作用下介质窗沿面击穿破坏的物理机制,探索提高闪络场强阈值的方法和途径,开展了介质窗表面矩形刻槽抑......
本文概要介绍了直视型微光夜视成像系统的结构组成及工作原理,综述了其发展状况和装备现状,较为详细地介绍了国外现已服役的几种典型......
利用二次电子倍增在微波腔内的谐振放大来研制而成的微脉冲电子枪,由于其阴阳极材料的倍增特性,使得在电子枪后不需要再接入预聚束器......
针对我国核能可持续发展中“核废料安全处置”的需求,中国科学院于2011年启动先导专项“中国加速器驱动次临界系统”(China Accele......
中国科学院战略性先导科技专项ADS嬗变系统质子加速器是一台高流强、中等能量的质子直线加速器,它基于超导加速结构,连续波运行。三......