目前硅器件是基于大规模集成半导体技术电子系统的主要组成部分。在太空中,半导体材料对捕获的带电粒子和太阳宇宙射线很敏感,并可......

三空位阴离子ＳｉＷ９和ＧｅＷ９与金属离子反应可分别生成Ｋｅｇｇｉｎ三取代型，夹心型及双聚型杂多阴离子。总绔了三种类型取代衍生物的＾１８３Ｗ ＮＭＲ谱化学位移的特征模式......

三空位杂多阴离子ＳｉＷ９Ｏ１０－３４有α和β两种异构体［１］，β－ＳｉＷ９Ｏ１０－３４阴离子钠盐的晶体结构测定表明，它是β－ＳｉＷ１２Ｏ４－４０阴离子的缺位衍生物，是从β－ＳｉＷ１２Ｏ４－４０阴离子中去掉３个ＷＯ６八面体后形成......