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目前硅器件是基于大规模集成半导体技术电子系统的主要组成部分。在太空中,半导体材料对捕获的带电粒子和太阳宇宙射线很敏感,并可......
三空位阴离子SiW9和GeW9与金属离子反应可分别生成Keggin三取代型,夹心型及双聚型杂多阴离子。总绔了三种类型取代衍生物的^183W NMR谱化学位移的特征模式......
三空位杂多阴离子SiW9O10-34有α和β两种异构体[1],β-SiW9O10-34阴离子钠盐的晶体结构测定表明,它是β-SiW12O4-40阴离子的缺位衍生物,是从β-SiW12O4-40阴离子中去掉3个WO6八面体后形成......