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Si_(1-y)C_y合金的固相外延生长及其特性

采用固相外延的方法在Ｓｉ（１００）衬底上生长了Ｃ组分为０．５ａｔ．％的Ｓｉ１－ｙＣｙ合金，并对合金的质量及特性进行了测试分析．采用多重离子注入的方法，并利用ＳｉＯ２做缓冲层，能够获......

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固相外延生长 Si y)C_y 合金层非晶化退火过程外延层半导体材料代位离子注入

4H-Si_(1-y)C_y合金的生长及特性

用化学气相淀积(CVD)法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测......

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合金薄膜化学气相淀积 4H-Si1-yCy合金载流子浓度载流子浓度分布电化学腐蚀 y)C_y Si 外延生长同质外延

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