研究了低栅电压范围的热载流子统一退化模型 .发现对于厚氧化层的 p- MOSFETs主要退化机制随应力电压变化而变化 ,随着栅电压降低 ......

基于应变硅的金属氧化物场效应晶体管是下一代CMOS技术非常有希望的候选者并且在65nm技术中已经开始应用。对于电子迁移率在这些异......

研究了沟长从0．525μm到1．025μm 9nm厚的P－MOSFETs在关态应力（Vgs=0,Vds<0)下的热载流子效应。讨论了开态和关态应力。结果发现由于在......