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用于GaAs IMPATT二极管的p~+-n_1-n_2-n~(++)多层汽相外延生长
本文报导一种采用双室矩形反应管生长p~+-n_1-n_2-n~(?)多层汽相外延技术.Zn和Sn分别为P型和N型掺杂剂.本技术能避免杂质存贮效应,......
期刊
汽相外延生长
GaAs IMPATT
n_1-n_2-n
多层材料
微米
均匀性
过渡区
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外延层
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