UHV-CVD相关论文
碳化硅是目前宽带隙半导体材料研究的热点之一。它具有禁带宽度大，热导率高，电子的饱和和漂移速度大，临界击穿电场强度和介电常数低等......
碳化硅是目前宽带隙半导体材料研究的热点之一。它具有禁带宽度大，热导率高，电子的饱和和漂移速度大，临界击穿电场强度和介电常数低等......
为了满足高性能的红外探测要求，以高品质硅基器件研制了选择性外延锗硅肖特基二极管．利用低温下锗硅材料在二氧化硅表面成核需要一定......
利用超高真空化学气相淀积系统，通过控制淀积量、温度、流量等生长参数，在n型Si（100）衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品，用原子力显......
利用超高真空化学气相沉积系统采用低温-高温两步法外延Ge材料。我们先在低温下生长硅锗作为过渡缓冲层利用其界面应力限制位错的......
