本文首先从理论上分析ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ隧氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响，然后给出了在不同擦写条件下ＦＬＯＴＯＸＥＥＰＲＯＭ存储管的阈值电压与......