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SnO_2/p~+-Si异质结器件的电致发光:利用TiO_2盖层提高发光强度
通过在重掺硼硅(p+-Si)衬底上溅射SnO2薄膜并在O2气氛下800℃热处理形成SnO2/p+-Si异质结.基于该异质结的器件可在低电压(电流)驱......
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Si
SnO_2/p
异质结
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TiO2盖层
电致发光
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