TDDB特性相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

TDDB特性相关论文

超薄Si3N4/SiO2叠层栅介质可靠性研究

实验成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的Nitride/Oxynitride(N/O)叠层栅介质难熔金属栅电极PMOS电容并对其进行了可靠性研究.实......

期刊

击穿 Si3N4/SiO2(N/O)叠层可靠性应力诱生漏电流(SILC) TDDB特性 breakdown nitride/oxynitride(N/O)

超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究(英文)

实验成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的Nitride/Oxynitride(N/O)叠层栅介质难熔金属栅电极PMOS电容并对其进行了可靠性研究.实......

期刊

击穿 Si3N4/SiO2(N/O)叠层可靠性应力诱生漏电流(SILC) TDDB特性 breakdown nitride/oxynitride（N/O）

看过本文同时还关注