超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究(英文)

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【摘要】

：

实验成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的Nitride/Oxynitride(N/O)叠层栅介质难熔金属栅电极PMOS电容并对其进行了可靠性研究.实验结果表明相对于纯氧栅介质而言,N/O叠层栅

【作者】

：

钟兴华徐秋霞

【机构】

：

中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所北京

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2007年2期

【关键词】

：

击穿 Si3N4/SiO2(N/O)叠层可靠性应力诱生漏电流(SILC) TDDB特性 breakdown nitride/oxynitride（N/O）

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实验成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的Nitride/Oxynitride(N/O)叠层栅介质难熔金属栅电极PMOS电容并对其进行了可靠性研究.实验结果表明相对于纯氧栅介质而言,N/O叠层栅介质具有更好的抗击穿特性,应力诱生漏电特性以及TDDB特性.进一步研究发现具有更薄EOT的难熔金属栅电极PMOS电容在TDDB特性以及寿命等方面均优于多晶硅栅电极的相应结构.

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