SOI-pLDMOs相关论文
针对带有栅极场板的绝缘体上硅p型横向双扩散场效应晶体管（SOI-p LDMOS）,提出了一种新型表面电场解析模型.相比于传统模型,该模型充......
绝缘体上硅(SO1)功率集成器件具有集成密度高、静态功耗低、开关速度快及抗闩锁能力强等优点,而p型横向双扩散MOS器件(pLDMOS)作为......
