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P型埋层缓冲层耐压结构相关论文
具有PBL缓冲层耐压结构的垂直AlGaN/GaN HFETs优化设计
本文提出了一种具有P型埋层耐压结构的垂直GaN基异质结场效应晶体管(PBL-VHFET).该新结构器件在关断耐压时,可实现缓冲层内部电场......
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