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The GaAs material is one of important semiconductor materials, it has wide applications in the design and manufacturing ......
为了探究功率超声对ф1 250mm大规格2219铝合金铸锭微观缺陷的影响,对试样打磨抛光处理后进行扫描电镜能谱分析以及光学显微分析。......
用化学腐蚀法、金相显微观察、透射电镜（TEM）、电子探针X射线微区分析（EPMA）和扫描电镜能谱分析（EDX）等手段，对φ76mm非掺杂（ND）半绝缘砷化......
为了消除辐射损伤，获得准确的目标电阻率，中子嬗变掺杂区熔硅通常采用７５０￣８５０℃－２ｈ的退火工艺，实践中发现，采用上述工艺退火后的ＮＴＤＦＺＳｉ在大于１１５０℃－５ｈ退火时，会......
通过在Ar气氛及真空环境中进行的高阻区熔Si单晶生长实验,分析了晶体直径、晶体生长环境及晶体生长速率对晶体中微缺陷及少子寿命......
应用小角X射线散射研究含能材料降感RDX微缺陷结构，给出降感RDX样品材料内部微缺陷尺寸及微缺陷数量信息，分析了降感RDX晶体在生长过......
