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半导体ZnO 具有优越的材料特性(宽禁带:3.37 eV,高激子束缚能:60 meV)和良好的光学及电学性质,是发展短波长、低阈值发光/激光二极管......
为了提高石墨烯基器件的光电响应性能,采用化学气相沉积法制备单层石墨烯,制备石墨烯/二氧化硅/硅结构器件;采用紫外可见分光光度......
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