本文报道了用ＭＥＢ－ＳＰＭ联合系统对ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子占进行准原位研究的初步结果。ＳＴＭ图像表明，在对ｎ＾＋－ＧａＡｓ衬底进行脱氧处理后，通过生长ＧａＡｓ缓冲层能有效的改善表面质量。......