LDD结构相关论文
LDD(Low-Density Drain)结构首次提出是在1978年,该结构最早多应用在MOSFET器件上,用来提升器件的击穿电压。伴随着第三代半导体Ga......
对1．2μ薄膜全耗尽SOI CMOS(TFD SOI CMOS)器件和电路进行了研究，硅膜厚度为80nm。器件采用LDD结构，以提高击穿电压、抑制断沟道效应......
本文提出了一种直稳态二维短沟道SOI-MOS PET/LDD结构的数值模型,所选用的基本方程是泊松方程、载流子的电流连续性方程和电流密度......
基于Tsuprem4和Medici模拟软件，研究了HaloLDD多晶硅薄膜晶体管工艺参数对热载流子效应的影响。结果表明，器件的热载流子效应随着Hal......
分析了热载流子退化现象对集成电路可靠性的影响,研究了改善热载流子退化的计算机工艺模拟技术、按比例缩小的准恒定电压理论、LDD......
介绍了电路的工作原理，对主要的延迟和选通控制单元及整体电路进行了模拟仿真，证明电路逻辑功能达到设计要求。根据电路的性能特点，采......
提出了一种新的基于电荷泵技术和直流电流法的改进方法，用于提取LDD n—MOSFET沟道区与漏区的界面陷阱产生．这种方法对于初始样品以......
针对实验中发现的亚微米ＬＤＤ结构的特殊的衬底电流现象和退化现象，进行了二维器件数值模拟，解释了ＬＤＤ器件退化的原因，最后提出了ＬＤＤ器件的优化工......
在对全耗尽SOIMOS器件进行了大量研究的基础上,采用金属栅工艺,并采用了LDD结构以减小热载流子效应,防止漏的击穿,还采用了突起的......
在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体(SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上,采用薄膜全耗尽绝缘硅(SOI)结构,并在工艺中利用......
