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采用等体积浸渍法制备了以稀散金属In、过渡金属Ag和稀土金属Ce为活性组分,以γ-Al2O3为载体的三效催化剂。通过XRD、BET、SEM、N2......
通过调整Al-Zn-Mg-Cu铝合金中Ga和In的含量,研究了Ga、In对铝合金溶解速率的影响,建立了溶解过程的本构方程,并通过微观组织观察,......
通过对InxGal～xN掺杂不同组份的In来改变InxGa1一xN的禁带宽度，从而改变量子阱势垒高度，并研究其与发光二极管光电性能、效率下降之间......
借助射频磁控溅射法在石英衬底上制备了In掺杂ZnO薄膜(ZnO:In),研究了In掺杂浓度对薄膜结构、光学及电学性能的影响。结果表明:所......
运用软件模拟和理论计算的方法分析了In含量对发光二极管光电性能的影响,研究了In含量与光谱功率密度、量子阱中载流子的浓度、辐......
