InSb焦平面探测器相关论文
对N型（111）面的InSb衬底采用两种方法进行钝化处理;一种是直接溅射ZnS,另一种是先用（NH4）2S化学硫化,然后溅射ZnS。C-V测试和器件性能......
在Insb焦平面探测器（FPA）制造中，InSb芯片背面经磨抛减薄后需要在表面镀制增透膜，增大Insb芯片对红外光的吸收。本文介绍了采用磁控溅......
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制冷型In Sb红外焦平面探测器工作时需降温至低温(80 K),器件在整个生命周期会经受从常温(300 K)到低温(80 K)的上千次高低温循环......
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