通过实验对ＩｎＰ－ＭＩＳ结构进行了研究分析，指出造成该结构的Ｃ－Ｖ曲线滞后现象的主要原因不是界面上ＩｎＰＯ＿４所造成陷阶，而是低温淀积ＳｉＯ＿２中的ＳｉＯＨ、ＳｉＨ等有机团所致；探索......