对电阻率为 103~6 Ω.cm 的 In 掺杂 Cd0.9Zn0.1Te 晶片在 Te 气氛和 Cd/Zn 平衡蒸汽压下进行了热处理,对电阻率为 108~9 Ω.cm的......

对电阻率为103～6Ω·cm的In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片在Te气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理,对电阻率为108～9Ω·cm的非掺杂晶片则在......

对电阻率为10^3-6Ω·cm的In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片在Te气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理，对电阻率为10^8-9Q·cm的非掺杂......

　　碲镉汞(HgCdTe)薄膜材料作为优秀的红外焦平面探测器优选材料,一直是国内外学者研究的重点.研究Si基替代衬底外延是MBE外延技......

分子束外延HgCdTe/InSb材料需要阻止In元素在HgCdTe中的不受控扩散。我们使用CdTe缓冲层作为阻挡层,以期控制In的扩散。为研究In元......

碲锌镉是重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，具有优越的光电性能，由其制备的室温核辐射探测器广泛应用于X射线光谱分析、医疗成像、工业控制......