INGAZNO相关论文
对于InGaZnO材料作为沟道半导体的薄膜晶体管柔性显示器件的研究倍受关注。将Ga2O3,In2O3,ZnO高纯度粉末按一定比例混合,经过研磨......
,Effects of active layer thickness on performance and stability of dual-active-layer amorphous InGaZ
Dual-active-layer (DAL) amorphous InGaZnO (IGZO) thin-film transistors (TFTs) are fabricated at low temperature without ......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
铟镓锌氧化物薄膜晶体管（IGZO TFT）因具有场效应迁移率高,大面积均匀性好,无定型态等特点,被认为是显示器朝着大尺寸、柔性化方向发......
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采用溶液法在玻璃衬底上制备InGaZnO薄膜,并以InGaZnO为沟道层制备底栅顶接触型薄膜晶体管,研究了退火温度和Ga含量对InGaZnO薄膜......
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采用脉冲激光沉积法，以元素比例为In：Ga：Zn=1：1：1的InGaZnO靶材作为实验靶材，在1000℃烧结后P型硅上成功制备了非晶InGaZnO薄膜。并用真......
采用N20plasma处理SiNx薄膜作为绝缘层，以室温下沉积的铟镓锌氧化物（IGZO）作为有源层制备了IGZO薄膜晶体管。与常规的IGZO-TFT相比，N2O......
为了避免光照对铟镓锌氧薄膜晶体管（InGaZnO thin film transistors,IGZO TFTs）电学特性的影响,IGZO TFT要增加遮光金属层.本文研究......
研究了非晶氧化锌镓铟薄膜晶体管(amorphous InGaZnO thin-film transistor,InGaZnO TFT)的泄漏电流模型.基于Poole-Frenkel热发射......
