彩硅栅结构的自对准离子注入工艺，研制成功了源漏击穿电压ＢＶＤＳ为１２０Ｖ，输出功率５．１Ｗ，功率增益８ｄＢ，跨导６５０ｍＳ，截止频率ｆＴ为２７０ＭＨｚ的高压双栅功率ＭＯＳＦＥＴ器件。介绍了器件结构参......