GaN纳米材料相关论文
实验以三氯化镓(GaCl3)为III族源,通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置在Si(111)衬底上实现了GaN纳米材料的自催化生长,探讨了......
GaN作为第三代半导体材料的典型代表,其研究备受瞩目,被认为是制造蓝光二极管和大功率光电子器件最理想材料。由于GaN纳米材料具有......
低维纳米结构是当前纳米科学与技术领域的一个重要研究方向。它不仅对理解基本的物理现象具有重要意义,而且作为功能模块在构建纳......
氮化镓（GaN）是一种直接带隙宽禁带半导体材料,在光电子和微电子器件等方面具有广泛的应用。目前其研究与应用已成为全球半导体研究的......
