GaN衬底材料相关论文
用提拉法生长了高质量,大尺寸,具有混合钙钛矿结构的(La,Sr)(Al,Ta)O3晶体(LSAT),晶体尺寸达φ55mm×50mm。讨论了晶体生长有着工艺,......
以GaN为代表的Ⅲ-V族宽禁带半导体材料由于其优良的物理和化学特性成为当前半导体领域内的研究热点。虽然GaN性质优异,但一直饱受......