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Modeling of subthreshold characteristics for undoped and doped deep nanoscale short channel double-g
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A compact two-dimensional analytical model of the electrical characteristics of a triple-material do
This paper presents a compact two-dimensional analytical device model of surface potential,in addition to electric field......
在提出双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFET新结构的基础上,模拟了沟道长度为25nm时基于新结构的CMOS瞬态特性.结果表明,单栅工作模式......
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