CASCODE相关论文
本文设计了一款基于CMOS工艺的宽带射频功率放大器,包含驱动级放大器及级间匹配网络、功率级放大器及输出匹配网络。更宽的带宽、......
随着无线通信技术的飞速发展,全球将步入5G移动通信的新时代。因而,具有高速数据速率(Gb/s)的毫米波(mm-Wave)通信系统在近年来受......
提出了一种Cascode级间匹配电路,能够优化Cascode放大器的噪声系数、增益及高频稳定性.应用该电路,设计了一款多频段射频低噪声放......
针对传统有源电感等效电感值低、品质因数(Q)低、频带窄的缺点,在传统共源共栅有源电感的基础上,提出了具有有源电阻反馈和分流支......
设计了一种低压、低功耗、输出阻抗匹配稳定的CMOS差分低噪声放大器。基于源极电感负反馈共源共栅结构,提出了基于MOS管中等反型区......
基于IBM8HP 120 nm SiGe BiCMOS工艺,分析了晶体管的最小噪声系数和最大可用增益特性.采用两级Cascode放大器级联结构,研制出一种......
基于混沌、均匀分布的真随机数发生器的工作电路和精度要求较高的电压参考电路的温度漂移进行分析,给出了仿真得到的温度曲线;分析......
为提高运放性能和增大输入输出信号动态范围，往往采用轨对轨输入输出结构的运放。介绍了一款基于0．35umCMOS工艺设计的恒定跨导轨对......
分析了具有源级退化电感的CMOS共源共栅结构电路在低频、低功耗LNA设计中存在的缺陷，为满足低频、低功耗设计的要求，现广泛采用在该......
研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源器件的特性.该器件包括栅长0.8 μm共源器件与栅长1 μm的共栅器件.研究表明,共栅共源器件的第......
设计并分析了一种2.4GHz小信号的CMOS低噪声放大器(LNA),其源漏极间沟道长度为0.18m,在给定功耗下选择晶体管相关参数,利用ADS(Adv......
为了应对低功耗电路设计要求,提出了一个在低功耗要求下CMOS低噪声放大器的设计方法。使用该方法在0.18μm CMOS集成工艺下,设计一......
通过对Cascode电路的理论计算和用Multisim软件仿真，找出了Cascode电路中的优点和缺点，同时提出了用稳压二级管对电路进行改进，提高了......
针对 Cascode 结构振荡器进行研究,通过理论推导和分析,给出两级负阻提升的通用模型,该模型可以被广泛应用于混沌电路设计中,实际......
针对 Cascode 结构振荡器进行研究,通过理论推导和分析,给出两级负阻提升的通用模型,该模型可以被广泛应用于混沌电路设计中,实际......
给出了一个基于AMS0．35μm SiGe BiCMOS工艺的低噪声放大器（LNA），主要应用于witone数字集群移动通信系统手持机中。该低噪声放大器采用......
设计了一款用于UHFRFID射频前端接收机的高线性度LNA。该低噪声放大器采用噪声消除技术，具有单端输入差分输出的功能，能够同时实现输......
开关电流取样单元电路是开关电流取样数据系统的基础.针对第二代开关电流取样原理构成的取样单元电路存在取样精度低,取样波形畸变......
本文采用TSMCO．18μmCMOS工艺，设计了两款可工作在2．4GHz频率上的窄带低噪声放大器（LNA）。两款LNA的电路结构分别为Cascode电路结构应用......
本文采用TSMCO．18μmCMOS工艺，设计了两款可工作在2．4GHz频率上的窄带低噪声放大器（LNA）。两款LNA的电路结构分别为Cascode电路结构应用......
在对传统的带隙基准电压源电路分析和总结的基础上，提出了一种基于BiCMOS工艺的，新颖的自偏压共源共栅电流镜结构的高精度带隙基准电......
在实际应用电路时,噪声及波动经常不知不觉会引入到供电电压中,从而影响输出端电压。为使电路稳定,需消除或抑制所产生的噪声。文......
本文主要介绍了一种应用于Cascode结构运放中的开关电容共模负反馈电路,它具有稳定性好、对运放频率特性影响小、不消耗额外功率等......
本文主要介绍了一种应用于Cascode结构运放中的开关电容共模负反馈电路,它具有稳定性好、对运放频率特性影响小、不消耗额外功率等......
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计一种10 bit采样率为200 MS/s的DAC（数模转换器）。为了提高DAC的整体性能,电路主体采用了分段式电流......
采用0．18μm SMIC数模混合与射频（RF）CMOS工艺实现了一个应用于ISM（工业、科学和医疗）频段接收机的433MHz低功耗低噪声放大器（LNA）的设计．......
研究了一种全差分高增益、低功耗的CMOS运算放大器,采用折叠共源共栅结构、开关式共模反馈以及宽摆幅偏置电路。基于CSMC 0.6μm C......
基于0.13μmSiGe BiCMOS工艺,研究和设计了一种D波段功率放大器芯片.该放大器芯片用了四个功率放大器单元和两个T型结网络构成.功......
设计了一种电源输入模块，可承受高达两倍单管工艺极限电压的供电电压。该模块使用共源共栅结构和偏置跟踪技术，基于0．35μm、5V的低压......
A differential cross-coupled regulated cascode（RGC）transimpedance amplifier（TIA）is proposed. The theory of multi-stage commo......
介绍了一款0.1~40 GHz频率范围内的GaAs微波单片集成电路(Microwave Monolithic Integrated Circuit)行波放大器(Distribute Ampli......
本文为开关电源设计了一种新型的电流极限比较器，其利用电流镜、cascode结构及MOS管的电阻特性使某一随时间变化的工作电流直接与多......
摘要：新能源并网技术的进步，对电力电子器件的性能提出了更高的要求。传统电力电子器件逐步逼近理论极限。宽禁带半导体氮化镓材料（Ga......
针对AMOLED驱动芯片小面积、高精度、低功耗的需求,设计了一种具有DAC功能的高性能输出缓冲器。该缓冲器采用轨对轨的输入级和Clas......
