采用高温溶液生长法生长铁电Bi4-xNdxTi3O12（BNdT）单晶，并研究了BNdT的结构和电学性能．XRD结构精修的结果表明Nd掺杂将导致晶格常数和......

采用固相烧结法制备了Nd掺杂Bi4-xNdxTi3O12（％=0，0．25，0．5，0．75，1）层状铋系钙态矿无铅介电陶瓷。利用XRD、SEM和宽频IZR数字电桥测试手段研究......

采用磁控溅射工艺在p-Si衬底上制备了Bi4-xNdxTi3O12铁电薄膜,研究了Nd掺杂对Bi4-xNdxTi3O12薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响......

使用自助熔生长法生长Bi4－xNdxTi3O12（BNdT，x=0，0．5，0．85）单晶，研究了Nd掺杂对BNdT单晶光谱学特性的影响．常温拉曼光谱结果表明：随Nd含量的增......