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MOCVD生长的Ⅲ族宽禁带半导体氮化物薄膜的性质表征与分析
宽禁带半导体材料因其具有高击穿电场、良好的导热性、高的电子饱和率和抗辐射性能等特点,已成为开发高频率、高功率、耐高温和抗......
学位
宽禁带半导体
Be-GaN
AlN
纳米图案化
光学性质
位错密度
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