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高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS在TLP应力下的电学机理研究
提高射频功率器件的鲁棒性有利于增强器件的抗静电放电能力和抗失配能力.为了直观地了解器件内部发生的电学过程,本文研究了高鲁棒......
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