高效率功率放大器相关论文
基于0.15μm栅长GaAs E-PHEMT工艺,设计了一款可应用于X波段和Ku波段的宽带高效率功率放大器。针对二次谐波会明显降低功率放大器......
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为了满足将来无线通信系统对高频化和小型化的要求,收发前端MMIC放大器的研究一直以来备受瞩目。其中,位于接收前端的MMIC低噪声放......
基于WIN公司0.25μm栅长的Ga N HEMT工艺,研制了一款C波段Ga N单片功率放大器。该电路采用两级放大,末级的输入输出匹配电路中采用......
设计并制作了一款GaN基内匹配功率放大器。管芯选用0.25um大栅宽GaN HEMT,放大器用氧化铝陶瓷材料制作匹配电路,实现小型化。匹配......
E类功率放大器(功放)是一种高效率的开关类功放,并且,基于E类功放的极坐标发射机能够改善传统发射机的低效率性能。考虑到极坐标发......
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）具有二维电子气（2DEG）密度高，击穿电压高等优点，非常适合功率放大器。由于GaN HEMT能够承受较高的输......
随着无线通信和雷达探测等领域的快速发展，现代电子设备对微波功率晶体管的工作频率和功率密度等方面的要求越来越高。与第一代和第......
近年来在无线通信、雷达等领域,对发射的功耗要求越来越苛刻,而产品可放置的空间越来越小,这就要求功率放大器要有更高的效率以及......
