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在重掺N型硅衬底上制备了SiO2/ZnO/CdO/SiO2双势垒器件。通过适当地热处理，在ZnO/CdO两薄膜层中实现了Cd浓度渐变的CdxZn1-xO薄膜发......
用稀盐酸作为腐蚀液，对硅基ZnO薄膜MIS结构发光器件中的Zno薄膜进行表面织构化处理。在正向偏压(硅衬底接负压)下，未经表面织构化处......
为了满足瞬态光学系统对瞬时显像技术的要求，提出了一种基于钙钛矿纳米晶随机激射的瞬时发光方法.从CsPbBr3纳米晶薄膜的制备与表征......
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ZnO具有3.37 eV的直接带隙和60 meV的激子束缚能，被认为是优异的制备紫外发光器件的半导体材料。近十年来，基于ZnO的紫外发光器件被......
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分别采用直流反应溅射法和脉冲激光沉积法在硅衬底上沉积ZnO薄膜,用X射线衍射、扫描电镜、光致发光谱等手段对两种方法沉积的ZnO薄......
