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近年来,RRAM器件作为下一代非易失存储器应用的主要候选者已经被广泛地研究。其中基于SiN_x薄膜的RRAM器件凭借超低功耗、高速度、......
人们对下一代高存储密度、低功耗与高速非易失性存储器的需求,极大地刺激与推动相关新型功能材料的研究。钙钛矿型氧化物BiFeO_3(B......
在表面等离激元和阻变存储这两个重要的研究和应用领域,金属氮化物作为一种新型材料,都具有重要的发展潜力。本文采用磁控溅射方法......
随着微电子集成技术的不断发展,当前主流的非易失性存储技术——基于电荷存储的Flash存储器遭遇到了抗疲劳特性差、访问速度慢和操......
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阻变器件作为当前研究的热点在非易失性存储、神经形态系统等方面有着重要应用。一方面,传统浮栅存储器存在工作电压高、速度慢、......
以数据网络为基础的人工智能、大数据、物联网等新兴技术在深刻改变人类的生活。但是,面对日益增加的数据信息,传统的冯·诺依曼模......
中国科学院微电子研究所的研究人员在阻变存储器（RRAM）三维垂直交叉阵列研究领域取得了新的突破性进展，提出了白对准高性能自选通阻变......
