辐照诱生缺陷相关论文
第三代宽禁带半导体碳化硅（Si C）功率器件在航天、航空和核工业等强辐射领域的极端环境下应用时会受到辐照损伤的影响诱生缺陷，最终导......
本文用低温光致发光(LTPL)技术对经中子辐照的N型6H-SC在350℃-1650℃温度范围的退火行为进行了研究.在700℃退火后观察到D1中心(D......
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本文用低温光致发光谱（PL）和深能级瞬态谱（DLTS）技术对中子和不同能量电子辐照后6H-SiC外延层的辐照诱生缺陷进行了研究，研究了不同辐照......
