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超晶格纳米带相关论文
Si掺杂In2O3(ZnO)3超晶格纳米带的合成及其电学性质研究
目前,一维半导体纳米材料因其独特的光电特性而被广泛关注。其中,ZnO由于其具有宽禁带(3.37 eV)和高激子束缚能(60 meV),在室温或更高温度......
学位
超晶格纳米带
电学性质
化学气相沉积方法
硅掺杂
能带结构
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