赝高电子迁移率晶体管相关论文
报道一种工作在K波段的压控振荡器的设计和性能。该压控振荡器采用基于pHEMT工艺的有源器件,用紧凑的边缘通孔电磁带隙谐振结构替......
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
会议
针对宽带和多模无线通信系统、高速率数据传输、测试仪器仪表和光通信等对宽带接收机射频前端的应用需求,对包括宽带低噪声放大器......
介绍了一种基于GaAs PHEMT工艺的多功能芯片(MFC)设计。该芯片主要用于双向放大,具有低噪声性能和中等功率能力。综合考虑噪声、功......
采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款7~13.5 GHz宽带低噪声放大器单片集成电路。该单片集成电路可用于点对点、点对多点通信以及......
描述了高电子迁移率晶体管的作用、工作原理及发展概况,叙述了器件特性。制作出了栅长为1μm的PHEMT样品,它的最大跨导为170mS/mm,击穿电压为4V,最大电流......