自旋过滤相关论文
硅基电路板上容纳的晶体管数量每隔18个月增加一倍,微处理器性能也将提升一倍,这便是大家熟知的摩尔定律。然而随着晶体管电路接近......
半个世纪以来,计算机的不断更新换代及其性能的不断提升得益于电子器件小型化的不断发展。为了践行可持续发展的理念,研究者们致力......
分子器件在最近几十年里发展迅速。迄今为止,科学家们通过理论和实验的方法已发现了许多具有特殊功能的分子器件,它们是未来电子元......
随着科学技术的进步,人们对于工具的使用要求越来越高,也越来越精细。特别是对于计算机的要求,经历了几代的变革更新。但是,对于传......
自从2002年铁磁金属向有机材料内自旋注入的现象被报道以来，有机自旋电子学得到了迅速的发展。与传统半导体材料相比，有机材料具有独......
研究了电子隧穿几类磁电垒结构的自旋极化输运性质,导出统一的传输概率公式,揭示了非均匀磁场的分布与自旋过滤的关系,同时表明采......
文章介绍了近年来自旋电子学中广泛研究的三种典型的隧道结,对其自旋过滤效应的物理机制进行了分析归类,在此基础上,给出了影响其......
研究了一般的磁调制半导体纳米体系中电子自旋输运性质，其可以通过在半导体异质结表面沉积具有任意磁化方向的铁磁条带形成。通过对......
理论研究纳米尺度半导体量子环中的电子自旋极化输运现象。量子环的每个臂上生长一个半导体量子点，其中存在Rashba自旋轨道耦合相互......
基于杂化磁调制量子结构，我们从理论上提出了一电子自旋过滤器，并研究了其自旋榆运性质。实验上，其可以通过在半导体异质结表面沉积磁......
利用结合密度泛函理论和非平衡格林函数方法的第一性原理模拟计算,系统地研究了边缘钒原子钝化的扶手椅型硅烯纳米带(ASiNR)的自旋......
研究与两个金属电极耦合的顺序连接双量子点系统中热压作用下的自旋极化电流.在震荡磁场的作用下,两个量子点之间的耦合强度变得和......
采用密度泛函理论DFT/BP86方法研究金属串配合物[MM'M″(dpa)4(Cl)2][MM'M″=CoCoCo(1), CoCoRh(2), CoRhRh(3), NiCoRh(4......
通过计算模拟研究了对称和非对称的边缘被氢原子饱和的锯齿型石墨烯纳米带(ZGNRs)的电子输运特性.电流与电压的关系是由量子输运的......
利用第一性原理的密度泛函理论与非平衡格林函数方法,研究并五苯分子与锯齿形石墨烯纳米带形成分子器件的自旋输运特性.结果发现,......
电子学的发展过程是一个不断追求体积小、性能好而且造价低的电子器件的过程,随着电子行业的不断发展,电子器件的尺寸逐渐接近传统......
利用基于密度泛函理论结合非平衡格林函数的第一性原理计算方法,开展了氧气分子吸附对以石墨烯纳米带为电极的单蒽分子器件自旋极......
文章研究了一个由两个T型异质结串联耦合量子结构的自旋输运性质。该结构中含有Rashba自旋轨道耦合相互作用。在工作中，计算了电子......
应用密度泛函理论 Ｂ３ＬＹＰ方法对金属串配合物［ＣｏＭＣｏ（ｄｐａ）４（ＮＣＳ）２］（１：Ｍ＝Ｃｏ，２：Ｍ＝Ｎｉ，３：Ｍ＝Ｐｄ，４：Ｍ＝Ｐｔ；ｄｐａ＝二吡啶胺）的成键性质和自旋过滤效应进行了研究，结果表明：配合物 １的基态为二重态，Ｃｏ６＋３金属链形成三中......
随着电子器件微型化的发展,硅基半导体器件已渐近其材料与物理极限。碳基分子器件被认为是取代硅基电子器件的最佳选择。新型碳基......
利用密度泛函与非平衡态格林函数相结合的方法,研究了双铁酞菁(Fe2Pc2)与金纳米线电极构成分子器件的自旋输运性质.研究发现即使不......
基于非平衡格林函数结合密度泛函理论的第一性原理量子输运方法,预言一种完全自旋极化的电子器件。该器件是由半金属TiCl3做电极,......
基于Floquet理论和传输矩阵方法,理论研究了光场对电子隧穿两类磁电垒结构的自旋极化输运特性的影响,计算结果表明光场对两类磁电......
纳米与分子电子器件越来越受到人们的关注,许多低维纳米材料可以表现出一些微型电子器件的功能特性,比如碳纳米管、富勒烯、石墨烯......
分子电子学是继微电子学、纳米电子学之后的新兴电子学科,现在已被许多研究者所关注。由于分子器件具有优异的物理性质,例如:巨磁......
低维碳基磁性纳米材料新奇的自旋电子输运性质如自旋整流、自旋过滤等,既受其本身独特结构的影响,同时,其费米能级附近能带的和~*......
近年来,二维类石墨烯材料由于其在纳米器件中的应用前景,受到了越来越多的关注。与体材料类似,非本征原子的掺杂和吸附以及缺陷等......
电子同时具有电荷和自旋两种属性,电子的电荷属性在半导体材料中获得了极大的应用,推动了电子技术、计算机技术和信息技术的飞速发......
