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近年来,半导体量子线的光谱学特性从实验和理论研究上均取得较大进展。研究者已制备出矩形、T型、V型截面的量子线。实验结果表明,......
主要研究了微纳结构的半导体材料ZnO/MgZnO单量子阱的光学性质，尤其是量子阱在强光激发下的室温光致发光谱随激发强度和阱宽的变化......
采用动态屏蔽库仑势计算了T型半导体量子线的载流子自能,讨论了电子、空穴的自能及其对量子线截面尺度的依赖关系。计算结果表明,......
低压MOCVD技术在（0002）蓝宝石上外延获得高质量的ZnO：Ga单晶薄膜，并研究了Ga的不同掺杂浓度对材料电学和光学特性的影响．当Ga／Zn气相摩尔......
