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以静电感应晶闸管(SITH)的长期工艺实践为基础,总结和研究了器件结构参数对SITH主要性能参数的影响,并分析了其原因,提出了改善SIT......
静电感应晶体管(SIT)有源区外围边界各种寄生电流的存在,不仅造成了阻断态下漏电增大,导致Ⅰ-Ⅴ特性异常,造成器件性能劣化,并且降......
静电感应晶体管（SIT）有源区外围边界各种寄生电流的存在,不仅造成了阻断态下漏电增大,导致I-V特性异常,造成器件性能劣化,并且降低了......
分析了SITH结构的掺杂电阻率、N-基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响,分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以......
