翻转阈值相关论文
本工作从实验测量、模拟计算、理论分析几方面研究半导体器件的在不同脉冲宽度下的辐射损伤规律.对三种半导体器件进行了不同脉冲......
对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬......
利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率......
利用脉冲激光源及脉冲X射线源，开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验，测量了CMOS电路瞬时剂量率效......
设计了一种结构特殊的迟滞比较器，电路为单端输入，翻转电压以及迟滞电压均由电路内部产生，通过对电路内部的参数调节即可改变翻转电压......
对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬......
利用脉冲激光源及脉冲X射线源，开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验，测量了CMOS电路瞬时剂量率效......
提出并设计了一种新型RC振荡器,采用3.3 V CMOS工艺实现。与传统的基于外部迟滞比较器的原理不同,该RC振荡器巧妙地基于内部正反馈......
在“强光一号”加速器上，对两种CMOS反相器和一种CMOS存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验，测量了CMOS电路的瞬时辐照效......
对64K CMOS随机存储器6264进行了＂强光一号＂长脉冲辐射状态和短脉冲辐射状态下的辐照实验,测量了存储器翻转效应,分析了不同脉冲宽度......
针对低密度奇偶校验（LDPC)码中加权比特翻转（WBF)译码算法在迭代过程中绝大多数情况都是进行单比特翻转，导致译码效率低并且可能会发......
基于0．6μm BiCMOS工艺设计了一种无需基准电压源和比较器的高性能欠压封锁电路（UVLO）。利用带隙基准电压源的原理，实现了欠压封锁的阈......
