绝缘埋层相关论文
在器件结构、辐照偏置相同的情况下,研究不同沟道长度的总剂量辐射响应.氧化层中辐射诱生陷阱正电荷是导致器件特性退化的关键.寄......
本文首先对Si注入在SIMOX的绝缘埋层中形成的纳米硅团簇的条件和纳米团簇的结构进行了论述.接头号,对纳米硅在绝缘埋层中的俘获电......
为利用SOI技术的优点，尝试用热导率更高的材料代替SiO2做为绝缘埋层，并在此基础上探索新型SOI器件结构，正是基于这种思想提出了相......
利用离子束增强沉积(IBED)技术成功地合成了大面积均匀AlN薄膜,分析表明薄膜中N/Al比为0.402:1,膜厚约250nm,表面电阻高于10Ω,绝......
随着智能功率集成电路对功率半导体器件可集成度的要求越来越高，传统体硅LIGBT (Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor) 已经......
学位
高剂量、大束流的O~+或N~+注入硅中经高温退火后能形成质量很好的SOI(Silicon onInsulater)材料。在波数范围为5000—1500cm~(-1)......
采用离子束增强技术（IBED）在Φ100mm硅片上合成了AlN薄膜。以速率0.05nm/s蒸发高线Al得到AlN样品，XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜，其N......
为减少自加热效应，利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的SOI新结构，高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得......
本文利用俄歇能谱和红外吸收谱研究了硅中O~+(200keV,1.8×10~(18)/cm~2)和N~+(180keV,4×10~(17)/cm~2)共注入、并经1200......
