GaN和Ⅲ族氮化物材料是近年来光电子领域的研究热点，GaN材料生长方面有了重大突破，而在基于GaN材料的高功率LED、脉冲连续LD以及盲阳......

该论文主要反映了对贵金属为基样品的光学性质研究,以及对CoMn和SiN/GdFe薄膜的磁光特性及其磁光增强机理进行研究的结果,具体内容......

利用红外椭偏光谱法(IRSE)对生长在蓝宝石衬底上的非故意掺杂的GaN外延膜进行了研究。通过对椭偏光谱的理论计算,拟合了本征GaN中......

用红外椭圆偏振光谱测量了室温下Hg1-xCdxTe(x=0.276,0.309,0.378)体材料位于禁带宽度之下、附近和之上的折射率.对每一种组份样品......

使用化学沉积方法，在600℃温度下，成功制备锰钴镍（MnxCoyNi3-x-yO4（MCN）薄膜．传统的固熔烧结工艺合成MCN材料需要的温度条件约为1050—12......