磁致电阻率相关论文
研究了DyNi2 B2 C薄膜的磁阻效应。试验用的薄膜用脉冲激光烧蚀法制备 ,激光烧蚀用的DyNi2 B2 C靶材由标准的电弧熔炼方法制得。采用MgO〔0 0 1〕......
用磁控溅射法制备了厚度20~200nm的NiFe合金薄膜。研究了热处理时间(及温度)对NiFe薄膜的电阻(电阻率)、各向异性磁电阻比和软磁性......
用磁控溅射法制备了厚度20-200nm的NiFe合金薄膜。研究了热处理时间(及温度)对NiFe薄膜的电阻(电阻率)、各向异性磁电阻比和软磁性能的影响。在一定温度......