碲镉汞晶体相关论文
该文简单介绍了利用金相显微镜、扫描电镜和同步辐射等方法，在用固态再结晶技术生长的原生碲镉汞晶体中所观察到的缺陷，简单讨论了这......
垂直勃里奇曼法生长碲镉汞晶体的传热、传质及流动的数值分析表明：在微重力状态下，随着熔体内部流动强度的减弱，虽然反映凝固界面的温......
该文简单介绍了利用金相显微镜、扫描电镜和同步辐射等方法，在用固态再结晶技术生长的原生碲镉汞晶体中所观察到的缺陷，简单讨论了这......
该文选用组分(X=0.170-0.300)均匀碲镉汞晶片作减薄实验，即将样品的厚度从800μm逐次减去处100μm后，在室温下用红外光谱仪测量晶片......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
<正> 近半个世纪以来,红外物理和红外技术在军事需要的推动下发展非常迅速,已形成一支相对独立的学科,也造就了一个庞大产业。据90......
介绍了自行研制的可以施加横向磁场中的垂直Ｂｒｉｄｇｍａｎ法晶体生长装置，该装置磁场强度可在０－０．６Ｔ范围内连续调节，生长区温度梯度达４０－７０℃／ｃｍ，不同磁场强度下进......
利用Raman显微镜测量了ACRT-Bridgman方法和Te溶剂方法生长的碲镉汞体材料的显微Raman光谱,在碲镉汞体材料的显微Raman光谱中识别......
在研究低温热处理对HgCdTe电学性质的影响时，在只考虑Hg间隙、Hg空位影响的情况下，通过对大量的、可靠的Hg0.8Cd0.2Te晶体低温热处理......
采用扫描电子显微术对布里奇曼法、固态再结晶法和碲溶剂法生长的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体的结构性质进行了研究，结果表明位错和亚晶界是三种方法所得晶......
采用金相显微镜观察到了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体中的层错。层错面是｛１１１｝面，层错蚀坑呈条状，在（１１１）面上观察到的层错条状蚀坑只有三个方向，而且这三个方面互为１２０......
首次研究了一种水平移动加热器法（ＴＨＭ）从未充满的溶区中生长圆柱形晶体。转动安瓿使晶体的整个截面不断地与溶液接触，强迫对流使溶液得到......
本文论述了不同炉温分布,对比研究温场对碲镉汞晶体结构的影响。...
随着红外技术的发展及军事和民用红外探测器（陈列）应用领域的不断扩大，对红外基础材料的需求也日益增长。碲隔汞材料以其工作温度高，适......
为选择合理的晶体生长速度，用改进Ｂｒｉｇｄｇｍａｎ法生长直径为φ１９ｍｍ的ＨｇＣｄＴｅ（ｘ＝０．２１）晶体过程中，对正在生长的单晶体单晶体及熔体进行淬火，以观察其固液界面形态。初步......
