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硅纳米线器件相关论文
适于16纳米及以下技术代的新型器件研究-2013年度总结报告
针对半导体器件进入16 nm及以下技术代将面临的可制造性难度大、功耗限制、性能退化等核心问题,重点开展了新型围栅纳米线器件、新......
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